氮化镓技术相对于传统硅晶体管的优势：

-更宽的带宽

-极低的反向恢复电荷(Q_RR)

-低栅电荷(Q_G)

-低漏源通态电阻（R_DS(ON))）

-低温度系数

对于电路设计人员的益处：

-更高的效率

-快速切换速度

-低交叉损耗

-更低的导通损耗

    SSDI扩展其密封高压氮化镓功率场效应管产品—SGF43E70-28。这款43A ,700 V的器件，可在LCC28封装中使用，它是具有最小管脚占用(0.458”x 0.458”max)和最小轮廓 (0.095”max) 密封高压氮化镓场效应管。LCC28封装有一个内部铜钨合金散热器，可以焊接到外部散热器上，以便更好地进行热管理。

    SGF43E70-28特性为低R_{DS(ON) TYP} ：39 mΩ (@ 30 A)和低Q_{G TYP} ：24 nC (@ 32 A)。与传统的硅MOSFET相比，这些器件具有低 (R_DS(ON) x Q_G)的优点、低的导通损耗和低的交叉损耗，可以在更小的封装中实现更快的开关切换和更高的效率。SSDI的700 - 1000伏的高压GaN产品是集GaN HEMT和低压硅MOSFET驱动器于一体的共源共栅级器件，具有优越的性能。SSDI的高压氮化镓功率场效应管可用于包括高效DC-DC / PoL转换器和电机控制器在内的广泛应用。

    虽然低电压、非密封GaN器件广泛用于商业应用，但SSDI专门为高功率/高压航空航天和国防应用提供高密度密封解决方案。依托于50年以上的高可靠性产品研发经验， SSDI的研发制造团队也可根据客户特定的要求提供定制化的密封、高效的氮化镓（GaN）产品解决方案。